Hybrid Memory Cube: квадратный узелок на память

     Магистр техномагии Micron Technology предложит память Hybrid Memory Cube (HMC) для коммерческого использования уже в первом квартале 2015 года.

  HMC — это многослойные модули, состоящие из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. При изготовлении чипов применяется технология Through Silicon Via (TSV), предусматривающей формирование медных каналов в многоуровневой структуре, выполняющих функции проводников.

    В Micron TSV-соединения проходят сквозь чипы DRAM от логики, расположенной снизу, и предоставляют высокий уровень параллельных связей. По заявлениям разработчиков, по сравнению с DDR3 память HMC предоставляет 15-кратное увеличение производительности при уменьшенном на 70 % энергопотреблении. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз. Если сравнивать с новой памятью DDR4, то общая пропускная способность HMC оказывается в пять раз круче при существенно меньшем потреблении энергии.

   Доступ к памяти осуществляется посредством высокоэффективного интерфейса со скоростью передачи данных до 1 Тбит/с.

     Ожидается, что для начала память нового типа будет использоваться прежде всего в высокопроизводительных вычислительных системах. Затем же найдёт применение в потребительских устройствах, вплоть до портативных и настольных компьютерах.

Patriot обязан иметь хорошую память!

     Фирма Patriot Memory сделала анонс очень интересных низкопрофильных модулей оперативной памяти SO-DIMM. Они предназначены для устройств типа ультрабук и ноутбук. Продукты под брендом Memory for Ultrabook очень экономны в плане пожирания электроэнергии. Напряжения питания всего 1,35 В при высокой производительности. 

        Новая память успешно совмещается с протестирована на совместимость с процессорами Intel Core 3-го поколения. Тактовая частота представлена в 2-х вариантах: 1333 или 1600 МГц, а их емкость м.б. 4 или 8 Гбайт. Прекрасно ладит с устройствами с рабочим напряжением питания 1,5 В.

Приобрести новинку можно будет уже в конце октября, но цена пока не озвучена.

Мнемоник был бы счастлив

Samsung Electronics не останавливается на достигнутых результатах. Всего несколько дней назад в сеть просочилась пикантная информация о том, что в массовое производство была запущена 2 ГБ третьего поколения. Ее отличает низкий уровень потребления энергии и удвоенная скорость передачи цифровых данных   (LPDDR3). Создано это технологическое чудо на базе 30-нанометровый техпроцесс. 18 сентября 2012 года новинка была официально представлена на Samsung Mobile Solution Forum. 

Корпорация Samsung запустила в срок самые передовые на данный момент мобильные чипы DRAM. Прошло всего 10 месяцев после того, как в октябре прошлого года на широкий круг публики были выставлены первые рабочие прототипы 30-нм образцы памяти LPDDR2 объемом 2 ГБ. Новинка упакована уже в один очень компактный корпус. Используется сразу четверка LPDDR3 чипов, которые объединены в одну рабочую систему. Они идеальны для процессоров быстрого типа, 3D-графика в таких устройствах, как планшет и смартфон, дисплеях с разрешением HD.

Примечательно, что новая DRAM для мобильных устройств способны передавать данные на контакт со скоростью передачи до 1600 Мб/сек, что почти в 2 раза быстрее этого же показателя для LPDDR2. Суммарный же показатель впечатляет: 12,8 Гб/сек. Вы сможете без потери качества смотреть медиафайлы формата FullHD видео на таких устройствах, как  смартфон и планшет, без потери качества в режиме реального времени на экранах больше 4 дюймов.