Сдвиг по фазе: не только шизофрения...

      Физик Стивен Эллиот (Stephen Elliott) из Кэмбриджа (University of Cambridge). Ему удалось ощутимо улучшить возможности работы памяти, работающей на базе классической технологии фазового перехода. Это весьма перспективная разработка. Она позволит в недалеком будущем создать компьютеры, которые будут загружаться почти мгновенно.

Сама суть технологии базируется на уникальной способности материала сохранять данные, используя переход между аморфным и кристаллическим состоянием. Переключение производится через тепловое воздействие, которое создает обычный электрический ток.  Ток более слабой используется для считывания хранящейся информации. Идеально подходит смесь сурьмы, теллура (GST или Ge2Sb2Te5) и германия. Память получает такое важное качество, как высокая производительность. Современные твердотельные накопители высокого уровня в несколько раз уступают данному новшеству по этому параметру. Уникален новый способ тем, что даже при отключении электроэнергии продолжает сохранять данные.  

Есть весьма неудобное «но», запись данных на носитель идет медленнее, чем на стандартные носители данных. Кристаллизация каждой ячейки памяти отнимает от  1-10 наносекунд. Стивен Эллиот улучшил базовый материал, то процесс «загрузки» снизился до 500 пикосекунд, для этого потребуется воздействие током в 1 В. В результате физик получил ускорение в 10 раз по сравнению с уже существующими решениями. Даже после 10 тыс. циклов перезаписи/записи информации стабильность материала не разрушается.