Магистр техномагии Micron Technology предложит память Hybrid Memory Cube (HMC) для коммерческого использования уже в первом квартале 2015 года.
HMC — это многослойные модули, состоящие из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. При изготовлении чипов применяется технология Through Silicon Via (TSV), предусматривающей формирование медных каналов в многоуровневой структуре, выполняющих функции проводников.
В Micron TSV-соединения проходят сквозь чипы DRAM от логики, расположенной снизу, и предоставляют высокий уровень параллельных связей. По заявлениям разработчиков, по сравнению с DDR3 память HMC предоставляет 15-кратное увеличение производительности при уменьшенном на 70 % энергопотреблении. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз. Если сравнивать с новой памятью DDR4, то общая пропускная способность HMC оказывается в пять раз круче при существенно меньшем потреблении энергии.
Доступ к памяти осуществляется посредством высокоэффективного интерфейса со скоростью передачи данных до 1 Тбит/с.
Ожидается, что для начала память нового типа будет использоваться прежде всего в высокопроизводительных вычислительных системах. Затем же найдёт применение в потребительских устройствах, вплоть до портативных и настольных компьютерах.
Комментариев нет :
Отправить комментарий
Нам важно знать ваше мнение, поэтому пишите, что думаете, но придерживаясь правил и норм литературного русского языка.